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公开(公告)号:CN118300542A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410489749.0
申请日:2024-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于信号链路温度补偿技术领域,提供了一种温度补偿衰减器、放大器及温度补偿衰减器的控制方法。该温度补偿衰减器设置第一晶体管的第一端连接输入端,第一晶体管的第二端连接输出端;第二晶体管的第一端连接输入端,第二晶体管的第二端接地;第三晶体管的第一端连接输出端,第三晶体管的第二端接地;第一稳压器为第一晶体管提供第一栅源电压,第二稳压器为第二晶体管和第三晶体管提供第二栅源电压,第一栅源电压与实时环境温度正相关,第二栅源电压与实时环境温度负相关。本申请实施例可以实现对放大器电路的补偿,减小放大器电路的波动,并且能够实现较宽的温度补偿范围,以及能够快速响应温度变化。
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公开(公告)号:CN116566425A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310351319.8
申请日:2023-04-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/525 , H04B1/44 , H03K17/687 , H03K17/081
Abstract: 本发明提供一种高功率射频开关及射频通信装置。该射频开关包括:发射支路和接收支路。发射支路和接收支路并联后连接外部天线。接收支路,包括多个串联的晶体管,其中,靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。本发明能够将接收支路各晶体管的栅宽设置为靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。增大靠近发射端口、天线端口的顶部晶体管的栅宽,减小关断阻抗,减小顶部晶体管分压时的源漏电势差。减小远离发射端口、天线端口的底部晶体管的栅宽,增大关断阻抗,增加底部晶体管分压时的源漏电势差。使各晶体管的源漏电势差均匀分布,避免了顶部晶体管首先达到击穿,提升了射频开关的发射功率处理能力。
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