公开(公告)号：CN104261835A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410482725.9

申请日：2014-09-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 周宏明 ,  朱慧娟 ,  易丹青 ,  夏庆路 ,  简帅 ,  胡雪仪

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/58085 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/428

Abstract: 本发明公开了一种二硅化钼发热元件制备方法，首先取铝硅酸盐与Mo粉、Si粉进行湿式球磨混料；然后，进行练泥、制坯，烧结，得到二硅化钼发热元件；本发明采用铝硅酸盐与Mo粉、Si粉直接进行球磨混合、成型、烧结的一体化工艺，确保成型坯体中各组分分布均匀、粒度合适，烧结过程中，Mo粉与Si粉直接反应生成均匀分布的二硅化钼组分。制备的二硅化钼发热元件致密度高、强度高、使用温度高、使用寿命长，克服了现有技术存在生产工艺复杂，生产周期长，粉体损失大，易引入杂质，降低粉体纯度而导致的发热元件强度不够，使用温度降低，寿命短等缺点。本发明工艺简单，生产周期短、成本低。适于工业化生产，可替代现有二硅化钼发热元件制备工艺。