公开(公告)号：CN114301203B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202111640161.3

申请日：2021-12-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 林明耀 ,  韩月龙 ,  孔永 ,  贾伦 ,  王召珩

IPC: H02K1/276 ,  H02K1/278

Abstract: 本发明涉及永磁电机领域，具体的是一种高转矩密度磁路串联型转子结构，包括中心转轴、转子铁心、2P块径向充磁的永磁体和2P块切向充磁的永磁体，中心转轴采用非导磁材料制造，且通过键槽结构与转子铁心连接固定，两种永磁体的放置方式分别为表面嵌入式和内置式，表面嵌入式永磁体偏移角度为α，且两侧有不等宽空气磁障。本发明利用径向和切向永磁体构成串联磁路，通过表面嵌入式永磁体偏移、不等宽磁障和非导磁中心转轴设计，极大地减少了转子部分漏磁，充分利用了永磁转矩和磁阻转矩，使得电机拥有较大的转矩密度。

公开(公告)号：CN114301203A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111640161.3

申请日：2021-12-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 林明耀 ,  韩月龙 ,  孔永 ,  贾伦 ,  王召珩

IPC: H02K1/276 ,  H02K1/278

Abstract: 本发明涉及永磁电机领域，具体的是一种高转矩密度磁路串联型转子结构，包括中心转轴、转子铁心、2P块径向充磁的永磁体和2P块切向充磁的永磁体，中心转轴采用非导磁材料制造，且通过键槽结构与转子铁心连接固定，两种永磁体的放置方式分别为表面嵌入式和内置式，表面嵌入式永磁体偏移角度为α，且两侧有不等宽空气磁障。本发明利用径向和切向永磁体构成串联磁路，通过表面嵌入式永磁体偏移、不等宽磁障和非导磁中心转轴设计，极大地减少了转子部分漏磁，充分利用了永磁转矩和磁阻转矩，使得电机拥有较大的转矩密度。