一种晶体管小信号等效电路模型

    公开(公告)号:CN104573173A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410665717.8

    申请日:2014-11-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种晶体管小信号等效电路模型,包括各个电极处的电极寄生部分,所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构;该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻,高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后,再与寄生电阻并联。该模型更好地反映涉及半导体有源器件在高频时的高阶寄生效应,因此,可以更高精度地模拟晶体管的性能,用于电路设计或者指导器件制备及工艺改进。

    一种基于固态电子的太赫兹电脉冲产生装置

    公开(公告)号:CN104506167B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201410717802.4

    申请日:2014-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于固态电子的太赫兹电脉冲产生装置,利用陡边沿数字信号产生电路将基带或仪器发出的数字信号处理为陡边沿数字信号,再将陡边沿数字信号耦合到具有微分功能的片上或片外微分器,微分器对信号进行微分处理输出极窄脉冲,从而实现太赫兹(THz)电脉冲信号。所述微分器可以是利用半导体工艺实现的微分电路,也可以是利用半导体工艺或MEMS工艺或陶瓷工艺实现的THz辐射天线从而直接将太赫兹电脉冲信号辐射到空间中。可采用功率分配及合成技术提高THz电脉冲辐射功率。本发明采用相位调整电路调整多路信号,使多路信号相位一致。

    一种晶体管小信号等效电路模型

    公开(公告)号:CN104573173B

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201410665717.8

    申请日:2014-11-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种晶体管小信号等效电路模型,包括各个电极处的电极寄生部分,所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构;该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻,高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后,再与寄生电阻并联。该模型更好地反映涉及半导体有源器件在高频时的高阶寄生效应,因此,可以更高精度地模拟晶体管的性能,用于电路设计或者指导器件制备及工艺改进。

    一种基于固态电子的太赫兹电脉冲产生装置

    公开(公告)号:CN104506167A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410717802.4

    申请日:2014-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于固态电子的太赫兹电脉冲产生装置,利用陡边沿数字信号产生电路将基带或仪器发出的数字信号处理为陡边沿数字信号,再将陡边沿数字信号耦合到具有微分功能的片上或片外微分器,微分器对信号进行微分处理输出极窄脉冲,从而实现太赫兹(THz)电脉冲信号。所述微分器可以是利用半导体工艺实现的微分电路,也可以是利用半导体工艺或MEMS工艺或陶瓷工艺实现的THz辐射天线从而直接将太赫兹电脉冲信号辐射到空间中。可采用功率分配及合成技术提高THz电脉冲辐射功率。本发明采用相位调整电路调整多路信号,使多路信号相位一致。

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