公开(公告)号：CN103828062B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280045962.8

申请日：2012-11-13

Applicant: 东亚合成株式会社

Inventor： 铃木浩 ,  北村昭宪 ,  滨田崇

IPC: H01L29/786 ,  C08L83/04 ,  C08L101/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0094 ,  C08G77/045 ,  C08G77/14 ,  H01L51/052

Abstract: 本发明提供可形成膜表面的疏水性及平滑性优异且电稳定性优异的绝缘膜的有机半导体绝缘膜用组合物及使用其的有机半导体绝缘膜。本发明的有机半导体绝缘膜用组合物含有聚硅氧烷和有机高分子化合物，聚硅氧烷为具有氧杂环丁烷基的笼型倍半硅氧烷、及下式所示的具有氧杂环丁烷基的硅化合物中的至少一者。另外，下式的R1～R3分别独立地表示一价的有机基团(其中，R1～R3中的至少1个为具有氧杂环丁烷基的一价的有机基团。)。v、w、x及y分别独立地表示0或正数(其中，v、x及y中的至少1个和w为正数。)。

公开(公告)号：CN103828062A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280045962.8

申请日：2012-11-13

Applicant: 东亚合成株式会社

Inventor： 铃木浩 ,  北村昭宪 ,  滨田崇

IPC: H01L29/786 ,  C08L83/04 ,  C08L101/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0094 ,  C08G77/045 ,  C08G77/14 ,  H01L51/052 ,  C08G77/20 ,  C08L83/04

Abstract: 本发明提供可形成膜表面的疏水性及平滑性优异且电稳定性优异的绝缘膜的有机半导体绝缘膜用组合物及使用其的有机半导体绝缘膜。本发明的有机半导体绝缘膜用组合物含有聚硅氧烷和有机高分子化合物，聚硅氧烷为具有氧杂环丁烷基的笼型倍半硅氧烷、及下式所示的具有氧杂环丁烷基的硅化合物中的至少一者。另外，下式的R1～R3分别独立地表示一价的有机基团(其中，R1～R3中的至少1个为具有氧杂环丁烷基的一价的有机基团。)。v、w、x及y分别独立地表示0或正数(其中，v、x及y中的至少1个和w为正数。)。