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公开(公告)号：CN101384336B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780006055.1
申请日：2007-02-06
Applicant: 康肯科技股份有限公司 , 东亚合成株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D2257/204 , C23C16/4412 , F23G7/063 , F23L7/002
Abstract: 本发明提供HCD气体的除害方法及其装置。通过使含有六氯化二硅的废气(L)在不含有水分的情况下导入反应处理区域(K)，向保持在六氯化二硅的分解温度的反应处理区域(K)供给含有若干水分的有氧气体(G)，将六氯化二硅分解成盐酸、二氧化硅和水，在既不产生硅草酸也不产生氯的情况下安全地进行含有六氯化二硅的废气处理。
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公开(公告)号：CN1250557C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN02817934.X
申请日：2002-09-11
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C07F7/18
CPC classification number: C07F7/1876 , C07F7/1804
Abstract: 本发明的目的是提供一种制备烷氧基硅烷的方法，其没有使用氯硅烷作为中间体原料，并改善了环境，且目标产物的产率也是令人满意的。本发明涉及一种制备烷氧基硅烷的方法，包括在含有氢化硅烷化催化剂和聚亚烷基二醇并负载于载体上的混合物存在下，使具有至少一个氢-硅键和至少一个烷氧基的有机硅化合物(A)和具有碳-碳不饱和键的有机化合物(B)发生气相氢化硅烷化反应，从而将化合物(A)的氢和硅加到化合物(B)中的碳-碳不饱和键上。
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公开(公告)号：CN101384336A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780006055.1
申请日：2007-02-06
Applicant: 康肯科技股份有限公司 , 东亚合成株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D2257/204 , C23C16/4412 , F23G7/063 , F23L7/002
Abstract: 本发明提供HCD气体的除害方法及其装置。通过使含有六氯化二硅的废气(L)在不含有水分的情况下导入反应处理区域(K)，向保持在六氯化二硅的分解温度的反应处理区域(K)供给含有若干水分的有氧气体(G)，将六氯化二硅分解成盐酸、二氧化硅和水，在既不产生硅草酸也不产生氯的情况下安全地进行含有六氯化二硅的废气处理。
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公开(公告)号：CN1555380A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN02817934.X
申请日：2002-09-11
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C07F7/18
CPC classification number: C07F7/1876 , C07F7/1804
Abstract: 本发明的目的是提供一种制备烷氧基硅烷的方法，其没有使用氯硅烷作为中间体原料，并改善了环境，且目标产物的产率也是令人满意的。本发明涉及一种制备烷氧基硅烷的方法，包括在含有氢化硅烷化催化剂和聚亚烷基二醇并负载于载体上的混合物存在下，使具有至少一个氢－硅键和至少一个烷氧基的有机硅化合物(A)和具有碳－碳不饱和键的有机化合物(B)发生气相氢化硅烷化反应，从而将化合物(A)的氢和硅加到化合物(B)中的碳－碳不饱和键上。
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