公开(公告)号：CN119710859A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411776218.6

申请日：2024-12-05

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 马迅 ,  余磊磊 ,  张新明 ,  王睿杰 ,  吕蕾蕾 ,  李伟 ,  刘紫范 ,  袁振宇

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/02

Abstract: 本发明提供一种调控金属材料微弧氧化膜层孔隙大小的制备方法，属于金属材料表面处理技术领域，包括如下步骤：1)对阳极金属材料进行抛光处理；2)通过在磁场作用下采用微弧氧化同步辅助装置对预处理后的金属材料进行微弧氧化，得到微弧氧化膜层，实现对金属材料微弧氧化膜层孔隙大小的调控。本发明通过外加磁场强度，通过改变磁场强度大小和方向制备微弧氧化涂层，改变了涂层孔隙大小，电磁场的引入加快了膜层的生长速率，提高了膜层的性能，磁场强度越大，孔隙越小，微弧氧化涂层越致密，耐腐蚀性能越好；并且孔隙大小的控制有利于药物的负载和释放。此外，当金属材料表面与磁力线平行时，孔隙较小，微弧氧化涂层较致密，当金属材料与磁力线垂直时，孔隙较大。