公开(公告)号：CN110508296A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910730634.5

申请日：2019-08-08

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 吴亿 ,  相倩 ,  李凡 ,  陈文龙 ,  马艳玲 ,  施枫磊 ,  邬剑波 ,  邓涛 ,  陶鹏 ,  宋成轶 ,  尚文

IPC: B01J27/057 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06

Abstract: 本发明涉及一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法，在化学气相沉积反应室内，采用半导体合成原料以化学气相沉积法在基底上沉积半导体材料，得到半导体材料与基底之间具有耦合界面的目的产物。与现有技术相比，本发明利用化学气相沉积制备出具有特定耦合界面的金属半导体复合物，该材料既具备了基底金属材料的优异电导性能和表面结构性质，同时又因其特殊的耦合界面，使得材料的电催化性能进一步提高。

公开(公告)号：CN110449163B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201910753971.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陈文龙 ,  相倩 ,  李凡 ,  马艳玲 ,  施枫磊 ,  潘磊 ,  邬剑波 ,  邓涛 ,  陶鹏 ,  宋成轶 ,  尚文

IPC: B01J23/89 ,  B01J23/68 ,  B01J35/10 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明涉及一种制备双金属合金二维纳米材料结构的方法，包括以下步骤：(1)取可溶性的贵金属前驱体与过渡金属前驱体置于溶剂中，搅拌溶解形成均匀的混合物溶液；(2)再将混合物溶液置于容器中，反复抽真空与通入惰性气体，直至混合物溶液不再析出气泡，接着再充入氩气；(3)继续往经步骤(2)处理后的装有混合物溶液的容器中通入一氧化碳，直至混合物溶液中CO饱和；(4)最后，将经步骤(3)处理后的混合物溶液的容器转移至反应釜内密封，低温热处理，所得产物洗涤后，即得到目的产物。与现有技术相比，本发明利用低温条件下的温和的热处理方式，实现了以往不易得到的二维金属合金纳米材料的制备等。

公开(公告)号：CN110449163A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910753971.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陈文龙 ,  相倩 ,  李凡 ,  马艳玲 ,  施枫磊 ,  潘磊 ,  邬剑波 ,  邓涛 ,  陶鹏 ,  宋成轶 ,  尚文

IPC: B01J23/89 ,  B01J23/68 ,  B01J35/10 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明涉及一种制备双金属合金二维纳米材料结构的方法，包括以下步骤：(1)取可溶性的贵金属前驱体与过渡金属前驱体置于溶剂中，搅拌溶解形成均匀的混合物溶液；(2)再将混合物溶液置于容器中，反复抽真空与通入惰性气体，直至混合物溶液不再析出气泡，接着再充入氩气；(3)继续往经步骤(2)处理后的装有混合物溶液的容器中通入一氧化碳，直至混合物溶液中CO饱和；(4)最后，将经步骤(3)处理后的混合物溶液的容器转移至反应釜内密封，低温热处理，所得产物洗涤后，即得到目的产物。与现有技术相比，本发明利用低温条件下的温和的热处理方式，实现了以往不易得到的二维金属合金纳米材料的制备等。