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公开(公告)号:CN112166550A
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN201980033251.0
申请日:2019-05-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 直流电容器(10)和支路(20)与高电压侧的电力线(PL)以及低电压侧的电力线(NL)并联地连接。支路(20)具有经由与负载连接的输出端(Nout)串联连接于电力线间的多个半导体开关元件(21、22)。用于使共振衰减的衰减器(30)连接于由直流电容器(10)、高电压侧的电力线(PL)、低电压侧的电力线(NL)、导通状态的半导体开关元件以及关断状态的半导体开关元件的漏极源极间寄生电容形成的主电路环路(MLP1、MLP2)。