公开(公告)号：CN110828315B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201910650698.4

申请日：2019-07-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 城户成范 ,  藤井秀纪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/06 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及电力转换装置。针对具备埋入扩散层的半导体装置，提供缩短了工艺流程的制造方法。半导体装置具备：第1导电型的外延层，其设置于半导体衬底的第1主面之上；第1导电型的第1半导体区域，其从外延层的最表面设置到内部；以及第2导电型的第3半导体区域，其从第1半导体区域的底面设置到半导体衬底的内部，该半导体装置的制造方法包含：工序(a)，针对至少形成有源极区域、漏极区域及栅极电极的状态下的半导体衬底，对与第1主面相反侧的第2主面进行研磨，使半导体衬底的厚度变薄；以及工序(b)，从研磨后的半导体衬底的第2主面侧进行第2导电型的杂质的离子注入，形成第3半导体区域。

公开(公告)号：CN110828315A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910650698.4

申请日：2019-07-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 城户成范 ,  藤井秀纪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/06 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及电力转换装置。针对具备埋入扩散层的半导体装置，提供缩短了工艺流程的制造方法。半导体装置具备：第1导电型的外延层，其设置于半导体衬底的第1主面之上；第1导电型的第1半导体区域，其从外延层的最表面设置到内部；以及第2导电型的第3半导体区域，其从第1半导体区域的底面设置到半导体衬底的内部，该半导体装置的制造方法包含：工序(a)，针对至少形成有源极区域、漏极区域及栅极电极的状态下的半导体衬底，对与第1主面相反侧的第2主面进行研磨，使半导体衬底的厚度变薄；以及工序(b)，从研磨后的半导体衬底的第2主面侧进行第2导电型的杂质的离子注入，形成第3半导体区域。