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公开(公告)号：CN113330556B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201980088933.1
申请日：2019-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：内侧框架(7)，围住半导体芯片(11)的外周；以及外侧框架(2)，围住内侧框架(7)的外周，由将内侧框架(7)的外周围住的外壁(3)和缠绕于外壁(3)的外周的纤维状的加强构件(4)构成外侧框架(2)，从而防止构成半导体装置的部件的碎片向半导体装置外部飞散，不仅实现系统整体的可靠性的提高，而且实现半导体装置的小型化。
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公开(公告)号：CN113330580A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089339.4
申请日：2019-01-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/41
Abstract: 本发明的目的在于提高压接型半导体装置的制造性。本发明的压接型半导体装置具有：半导体芯片(3)，其具有第1主面以及与第1主面相对的面即第2主面，在第1主面具有保护环和栅极信号输入输出部；第1外部电极(1)，其形成于半导体芯片(3)的第1主面侧；导通图案(12)，其形成于第1外部电极(1)之上；触针(10)，其将栅极信号输入输出部与导通图案(12)进行连接；板状电极(4)，其设置于半导体芯片(3)的第2主面之上；碟形弹簧(7)，其设置于板状电极(4)之上；以及第2外部电极(8)，其设置于碟形弹簧(7)之上，与第1外部电极(1)一起夹着半导体芯片(3)。
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公开(公告)号：CN118805255A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202280092946.8
申请日：2022-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置具有：第1电极板(10)；第1半导体芯片(20)，其配置于第1电极板之上；第1板状电极(30)，其配置于第1半导体芯片之上；第1筒状电极(40)，其配置于第1板状电极之上；第1螺旋弹簧；第1带台阶电极(50)，其具有配置于第1筒状电极之上的第1下段部(51)和处于第1下段部之上的第1上段部(52)；第1绝缘框架(60)，其具有第1侧壁(61)、与第1侧壁的上端相连的第1上壁(62)；以及第2电极板(80)，其与第1上段部电连接。在第1筒状电极形成有沿着第1电极板的厚度方向将第1筒状电极贯穿的第1通孔(41)。第1螺旋弹簧(42)配置在第1通孔内，并且通过被第1板状电极和第1下段部压缩而产生将第1板状电极向第1半导体芯片推压的反弹力。
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公开(公告)号：CN113330556A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980088933.1
申请日：2019-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：内侧框架(7)，围住半导体芯片(11)的外周；以及外侧框架(2)，围住内侧框架(7)的外周，由将内侧框架(7)的外周围住的外壁(3)和缠绕于外壁(3)的外周的纤维状的加强构件(4)构成外侧框架(2)，从而防止构成半导体装置的部件的碎片向半导体装置外部飞散，不仅实现系统整体的可靠性的提高，而且实现半导体装置的小型化。
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