场发射器件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1691243A

    公开(公告)日:2005-11-02

    申请号:CN200510068928.4

    申请日:2005-04-27

    CPC classification number: H01J3/022 B82Y10/00 H01J1/3042 H01J2201/30469

    Abstract: 本发明提供一种场发射器件。所提供的场发射器件包括形成在阴极电极上并包括碳纳米管(CNT)的发射极,以及从发射极引出电子的栅极电极。另外,RuOx层或PdOx层涂覆在发射极表面上,从而保护CNT并稳定来自CNT的发射。在所提供的场发射器件中,用于稳定发射结构并保护发射端的稳定剂层涂覆在CNT发射极的表面上或CNT的表面上,更具体地即CNT的发射端上,从而防止由过电流或发射过程导致的CNT的磨损。因此,CNT的寿命提高,从而改善了场发射器件的可靠性和场发射器件的质量。

Patent Agency Ranking