公开(公告)号：CN103094538A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210272100.0

申请日：2012-08-01

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金德炫 ,  金载明 ,  朱圭湳 ,  金泰植

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/48 ,  H01M4/483 ,  H01M4/625 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明提供了负极活性材料、制备该负极活性材料的方法、包括该负极活性材料的负电极及包括该电极的锂电池，该负极活性材料包括：复合物，包括基质和硅颗粒，基质包括氧化硅、碳化硅和碳，硅颗粒分散在基质中；以及碳包覆膜，形成在复合物的表面上，其中，在X射线衍射图谱中，SiC峰与Si峰的强度比为1或更大。

公开(公告)号：CN103094538B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210272100.0

申请日：2012-08-01

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金德炫 ,  金载明 ,  朱圭湳 ,  金泰植

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/48 ,  H01M4/483 ,  H01M4/625 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明提供了负极活性材料、制备该负极活性材料的方法、包括该负极活性材料的负电极及包括该电极的锂电池，该负极活性材料包括：复合物，包括基质和硅颗粒，基质包括氧化硅、碳化硅和碳，硅颗粒分散在基质中；以及碳包覆膜，形成在复合物的表面上，其中，在X射线衍射图谱中，SiC峰与Si峰的强度比为1或更大。