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发明公开
三维半导体存储器件和包括三维半导体存储器件的电子系统审中-实审

公开(公告)号：CN115605024A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210392231.6

申请日：2022-04-14

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 金宰浩 , 金智源 , 金俊成 , 成锡江 , 李相燉 , 李钟旻 , 郑恩宅

IPC: H10B41/10 , H10B41/30 , H10B41/40 , H10B41/27

Abstract: 提供一种三维半导体器件，该三维半导体器件包括：衬底；堆叠结构，包括在衬底上的栅电极和在栅电极上彼此间隔开的串选择电极；第一分离结构，跨过堆叠结构在第一方向上延伸并位于串选择电极之间；竖直沟道结构，穿透堆叠结构；以及位线，连接到竖直沟道结构并在第二方向上延伸。竖直沟道结构的第一子集共同连接到位线之一。第一子集的竖直沟道结构可以跨过第一分离结构在第二方向上彼此相邻。串选择电极中的每一个可以围绕第一子集的竖直沟道结构中的每一个竖直沟道结构。

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