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公开(公告)号：CN118674058A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410261390.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06N7/08
Abstract: 公开了一种包括混沌逻辑装置的混沌计算机的操作方法、一种利用自旋孤立子的混沌计算方法和一种混沌计算机。该操作方法包括：基于对应于第一逻辑运算的第一初始状态设置第一初始值；将设置的第一初始值施加到混沌逻辑装置；基于第一输入数据设置要施加到混沌逻辑装置的第一输入值；将第一输入值施加至混沌逻辑装置；产生混沌信号，以使混沌逻辑装置在混沌模式下操作；将混沌信号施加到混沌逻辑装置；测量来自基于第一输入值和混沌信号操作的混沌逻辑装置的第一输出值；以及基于第一输出值产生第一输出数据。混沌逻辑装置包括被配置为其中形成有自旋孤立子的磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN115411177A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202111091288.4
申请日：2021-09-17
Applicant: 首尔大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
Abstract: 一种核磁化翻转方法包括通过向第一磁性斯格明子施加第一交流(AC)磁场将所述第一磁性斯格明子变换成斯格明子纹理，并且然后通过向斯格明子纹理施加第二AC磁场将斯格明子纹理变换成第二磁性斯格明子。第一磁性斯格明子可以在半球形壳体上形成，该半球形壳体可以通过以下方式形成：(i)制备具有多个突起的膜，以及(ii)在所述膜上堆叠包括铂(Pt)、镍(Ni)、或钯(Pd)中的至少一种的第一层和包括铁磁材料的第二层。第一AC磁场和第二AC磁场可以具有不同频率。
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公开(公告)号：CN116390496A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211693867.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造存储器件的方法包括：在彼此之上顺序形成第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层；通过图案化第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层来形成磁隧道结结构；通过蚀刻覆盖磁隧道结结构的侧壁的再沉积金属的一部分来形成侧壁金属层；执行氧化操作，该氧化操作包括氧化侧壁金属层的暴露表面以提供氧化的侧壁金属层；以及执行照射操作，该照射操作包括朝向氧化的侧壁金属层照射离子束。通过交替地执行氧化操作和照射操作两次或更多次来形成覆盖磁隧道结结构的侧壁的侧壁绝缘层。
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公开(公告)号：CN112825343A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN202011061324.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁阻随机存取存储器件和一种嵌入式装置。所述磁阻随机存取存储器件包括：第一绝缘中间层，位于衬底上；下电极接触，穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；第二绝缘中间层，位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；第三绝缘中间层，直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和位线，穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触所述第一结构中的一个第一结构的所述上电极。
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公开(公告)号：CN111211220A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910863772.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁随机存取存储器(MRAM)装置。MRAM装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。
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公开(公告)号：CN109524541A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811087711.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。
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公开(公告)号：CN119031721A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410054394.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：数据存储图案，其设置在衬底上，并且在与衬底的顶表面平行的第一方向和第二方向上彼此间隔开；第一单元导电线，其设置在数据存储图案上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开，第一单元导电线中的每一条连接到数据存储图案中的在第一方向上彼此间隔开的相应的数据存储图案；以及单元过孔接触件，其在第一单元导电线之间在第一方向上彼此间隔开。第一单元导电线之间的单元过孔接触件中的每一个可以在第二方向上延伸，并且可以连接到数据存储图案中的在第二方向上彼此间隔开的虚设数据存储图案。
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公开(公告)号：CN117794251A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311254558.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括在基板上的单元下导电线和外围下导电线、在单元下导电线上的下电极接触、在外围下导电线上的外围导电接触、在下电极接触上彼此水平地间隔开的可变电阻图案。下电极接触分别连接到可变电阻图案。外围导电线在外围导电接触上与可变电阻图案水平地间隔开。外围导电接触连接到外围导电线。单元下导电线和外围下导电线分别连接到下电极接触和外围导电接触。单元下导电线和外围下导电线在相同的高度处。彼此直接相邻的单元下导电线的节距比彼此直接相邻的外围下导电线的节距更大。
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公开(公告)号：CN111081631A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910806621.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的导电结构、导电结构上的接触插塞以及接触插塞上的磁隧道结结构。接触插塞的下表面的面积可以大于其上表面的面积，并且接触插塞可以包括至少部分地覆盖导电结构的上表面的覆盖图案、覆盖图案上的导电图案以及导电图案上的非晶含金属图案。
