公开(公告)号：CN102956694B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201210305411.2

申请日：2012-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  郑现钟 ,  宋俔在 ,  朴晟准 ,  D.塞奥 ,  梁喜准

IPC: H01L29/43 ,  H03K17/56

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。

公开(公告)号：CN102956694A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210305411.2

申请日：2012-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  郑现钟 ,  宋俔在 ,  朴晟准 ,  D.塞奥 ,  梁喜准

IPC: H01L29/43 ,  H03K17/56

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。