公开(公告)号：CN111146200B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201911064310.9

申请日：2019-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄汎傭 ,  赵珉熙 ,  金会承 ,  米尔科·坎托罗 ,  朴玄睦 ,  宋宇彬 ,  李相遇

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区与接触部在竖直方向上重叠。

公开(公告)号：CN111146200A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911064310.9

申请日：2019-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄汎傭 ,  赵珉熙 ,  金会承 ,  米尔科·坎托罗 ,  朴玄睦 ,  宋宇彬 ,  李相遇

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区与接触部在竖直方向上重叠。

公开(公告)号：CN114512486A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110975133.0

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  白寅硕 ,  丁贤玉 ,  黄汎傭

IPC: H01L27/108 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4074

Abstract: 提供了晶体管单元、晶体管电路、子字线驱动器和半导体装置。具有共用栅极结构的晶体管电路包括有源区和栅极。有源区具有在基底上沿第一方向延伸的主体以及从主体的在第一方向上的中心部分沿垂直于第一方向的第二方向延伸的突起。栅极布置在有源区上方以与有源区的沟道区叠置并且具有倒置的派结构，倒置的派结构从平面图来看在三个边上围绕但不覆盖有源区的包括有源区的两个拐角部分的部分。突起被分离区划分成分离成两个子部分的第一部分和第二部分。主体的在第一方向上的相对端对应于两个漏极区，突起的第二部分对应于共源极区，并且两个漏极区、共源极区和栅极构成两个晶体管，其中，两个晶体管共用栅极。