操作用于保持增强的存储装置的方法和存储装置

    公开(公告)号:CN116110472A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202211190995.3

    申请日:2022-09-28

    Abstract: 公开操作用于保持增强的存储装置的方法和存储装置。在操作包括存储控制器和非易失性存储器的存储装置的方法中,存储装置基于外部电源电压的激活而被通电。与主机装置的通信的建立基于存储装置与主机装置之间的链路信号而被等待。在没有与主机装置的通信的建立的情况下,保持增强操作通过进入保持增强模式并且通过将至少一个命令从存储控制器提供给非易失性存储器而对存储装置被执行。

    多命名空间存储装置及其操作方法、多命名空间电子系统

    公开(公告)号:CN114490427A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111141111.0

    申请日:2021-09-28

    Inventor: 金贤镇

    Abstract: 提供了多命名空间存储装置及其操作方法、多命名空间电子系统。所述多命名空间存储装置包括:非易失性存储器,包括第一存储器块和与第一存储器块不同的第二存储器块;以及存储器控制器,从主机接收用于请求创建第一命名空间和第二命名空间的命令,并且接收用于命令第一命名空间的物理映射的物理映射命令,第一命名空间包括第一逻辑块编号,第二命名空间包括未包含在第一逻辑块编号中的第二逻辑页编号。存储器控制器响应于物理映射命令,通过将第一逻辑块编号映射到第一存储器块来执行第一映射操作,并且通过将第二逻辑页编号映射到包括在第二存储器块中的第二存储器页来执行第二映射操作。

    存储器装置
    4.
    发明公开
    存储器装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117389461A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202310560873.7

    申请日:2023-05-18

    Inventor: 金贤镇

    Abstract: 提供存储器装置。所述存储器装置包括:非易失性存储器;以及存储器控制器,用于将从主机接收的数据写入非易失性存储器。存储器控制器被配置为:从主机接收与所述数据相关联的第一数据完整性字段(DIF)信息,第一DIF信息包括基于所述数据生成的单独的循环冗余校验(CRC)信息;基于第一DIF信息生成具有与第一DIF信息的结构不同的结构的第二DIF信息;并且将第二DIF信息写入非易失性存储器。

    半导体封装件和包括其的存储器装置

    公开(公告)号:CN115763442A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202210998050.8

    申请日:2022-08-19

    Inventor: 金贤镇

    Abstract: 提供了半导体封装件和包括其的存储器装置。所述半导体封装件包括:封装板,包括多个连接垫;半导体芯片,包括第一表面和多个接合垫,其中,半导体芯片的第一表面与封装板的第一表面接触,并且其中,所述多个接合垫分别连接到所述多个连接垫;以及热熔丝电路,连接在所述多个连接垫中的感测连接垫与所述多个接合垫中的感测接合垫之间,并且被配置为当热熔丝电路的内部温度高于或等于热熔丝电路的切断温度时在感测连接垫与感测接合垫之间断路。

    存储系统和操作该存储系统的方法

    公开(公告)号:CN117420948A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202310777935.X

    申请日:2023-06-28

    Inventor: 金贤镇

    Abstract: 公开了一种存储系统和操作该存储系统的方法。该存储系统包括多个存储设备。该多个存储设备中的每个存储设备包括非易失性存储设备、缓冲存储器、以及控制非易失性存储设备和缓冲存储器的存储器控制器。多个存储设备中的至少一个存储设备是计算存储设备。该计算存储设备还包括执行用于控制存储系统的计算操作的存储控制器。

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