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公开(公告)号：CN101221965A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710305783.4
申请日：2007-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H04N5/374
Abstract: 示范性实施例涉及一种CMOS图像传感器的像素结构及相关方法。该像素结构可以包括第一导电性衬底，在该第一导电性衬底中的第二导电性光电二极管区域，和在该第二导电性光电二极管区域上的电容器电极。
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