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公开(公告)号：CN114627947A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111087817.3
申请日：2021-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统。所述半导体存储器装置包括：测试模式数据存储装置，被配置为在测试操作期间，响应于寄存器写入命令和寄存器地址而存储测试写入模式数据，并且响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号而输出测试读取模式数据；存储器单元阵列，包括多个存储器单元并且被配置为生成读取数据；读取路径单元，被配置为通过将读取数据串行化而生成n个读取数据；以及测试读取数据生成单元，被配置为在测试操作期间，通过将测试读取模式数据与以第一数据速率生成的所述n个读取数据中的每个进行比较来生成n个测试读取数据，并且以低于第一数据速率的第二数据速率生成所述n个测试读取数据。
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