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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN117594567A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310752562.0

申请日：2023-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍 , 金南宰 , 金秀宾 , 金柄武 , 全众源

IPC: H01L23/538 , H01L29/06 , H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括PMOS区域、N阱抽头形成区域以及边界区域；PMOS场效应晶体管，位于所述PMOS区域上；N阱抽头区域，位于所述N阱抽头形成区域中，掺杂有N型杂质；第一金属图案，连接到所述PMOS场效应晶体管的至少一个杂质区域，其中，所述第一金属图案延伸，使得所述第一金属图案的端部位于所述边界区域上；第二金属图案，电连接到所述N阱抽头区域，其中，所述第二金属图案延伸，使得所述第二金属图案的端部位于所述边界区域上；第一接触插塞，位于所述第一金属图案上；第二接触插塞，位于所述第二金属图案上；以及上部布线，位于所述第一接触插塞和所述第二接触插塞上。

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