液晶显示器的薄膜晶体管阵列板

    公开(公告)号:CN1325984C

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN02804028.7

    申请日:2002-02-27

    Abstract: 在液晶显示器的制造方法中,减小用于存储电容的绝缘层的厚度以增大存储容值并以稳定的方式维持孔径比。用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板包括绝缘基板和栅极线组件以及形成在绝缘基板上的存储电容线组件。栅极线组件具有栅极线和栅极电极。栅极绝缘层覆盖栅极线组件和存储电容线组件。半导体图案形成在栅极绝缘层上。数据线组件和存储电容导体图案形成在覆盖有半导体图案的栅极绝缘层上。数据线组件具有数据线、源极电极和漏极电极。存储电容导体图案与存储电容线组件部分重叠,由此形成第一存储电容。钝化层覆盖数据线组件、存储电容导体图案和半导体图案。第一和第二接触孔形成在钝化层上并暴露漏极电极和存储电容导体图案。像素电极形成在钝化层上并经第一和第二接触孔连接到漏极电极和存储电容导体图案。像素电极形成与部分存储电容线组件相连的第二存储电容。

    液晶显示器的薄膜晶体管阵列板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1488083A

    公开(公告)日:2004-04-07

    申请号:CN02804028.7

    申请日:2002-02-27

    Abstract: 在液晶显示器的制造方法中,减小用于存储电容的绝缘层的厚度以增大存储容值并以稳定的方式维持孔径比。用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板包括绝缘基板和栅极线组件以及形成在绝缘基板上的存储电容线组件。栅极线组件具有栅极线和栅极电极。栅极绝缘层覆盖栅极线组件和存储电容线组件。半导体图案形成在栅极绝缘层上。数据线组件和存储电容导体图案形成在覆盖有半导体图案的栅极绝缘层上。数据线组件具有数据线、源极电极和漏极电极。存储电容导体图案与存储电容线组件部分重叠,由此形成第一存储电容。钝化层覆盖数据线组件、存储电容导体图案和半导体图案。第一和第二接触孔形成在钝化层上并暴露漏极电极和存储电容导体图案。像素电极形成在钝化层上并经第一和第二接触孔连接到漏极电极和存储电容导体图案。像素电极形成与部分存储电容线组件相连的第二存储电容。

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