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公开(公告)号：CN1801603A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510133994.5
申请日：2005-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有提高了的效率的小尺寸片上互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器。该片上CMOS功率放大器能够通过提高K因子来提高效率并使其输出最大化，提高K因子在具有分布式有源变换器结构的功率放大器中可能会导致问题。该具有提高了的效率并被以小尺寸制造的片上CMOS功率放大器包括：主线圈，位于第一层；次线圈，位于第二层，第二层是第一层的上面的部分，次线圈对应于主线圈的位置放置；交叉部分，用于使次线圈彼此耦合。
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