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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN116013919A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211265667.5

申请日：2022-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡昇逸 , 申京姬 , 李大熙 , 李文熙

IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L27/092 , G11C5/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：多个半导体元件，所述多个半导体元件中的每个包括栅极结构和有源区域，栅极结构在第一方向上延伸，有源区域在与第一方向交叉的第二方向上设置在栅极结构的两侧；以及多个互连图案，连接到所述多个半导体元件，其中，所述多个互连图案包括：多个上互连件，在第三方向上设置在所述多个半导体元件上方；多个中间互连件，在第三方向上设置在所述多个半导体元件与所述多个上互连件之间；以及布线互连件，在第二方向上与所述多个半导体元件中的至少一个相邻，其中，布线互连件在第一方向或第二方向上连接到所述多个中间互连件中的至少一个。

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