公开(公告)号：CN1215535C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03101625.1

申请日：1998-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田渼淑 ,  李春得 ,  吉埈仍 ,  田弼权

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C11D7/22

CPC classification number: G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：a.对半导体基片进行曝光和显影，以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶；b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻；c.用单乙醇胺和二甲亚砜的混合液将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。

公开(公告)号：CN1218277A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98117354.3

申请日：1998-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田渼淑 ,  李春得 ,  吉埈仍 ,  田弼权

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C11D7/22 ,  C11D7/50

CPC classification number: G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤:a.对半导体基片进行曝光和显影,以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶;b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻;c.用二甲基乙酰胺将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。

公开(公告)号：CN1442888A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN03101625.1

申请日：1998-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田渼淑 ,  李春得 ,  吉埈仍 ,  田弼权

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C11D7/22

CPC classification number: G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：a.对半导体基片进行曝光和显影，以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶；b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻；c.用单乙醇胺和二甲亚砜的混合液将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。

公开(公告)号：CN1118866C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN98117354.3

申请日：1998-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田渼淑 ,  李春得 ,  吉埈仍 ,  田弼权

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C11D7/22 ,  C11D7/50

CPC classification number: G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：a.对半导体基片进行曝光和显影，以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶；b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻；c.用二甲基乙酰胺将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。