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公开(公告)号：CN112103294A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010069622.5
申请日：2020-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L27/11521 , H01L27/11556
Abstract: 公开了包括单元栅极图案的三维闪速存储器装置及其制造方法。三维闪速存储器装置被描述为可包括衬底、交替地堆叠在衬底上的多个单元栅极图案和多个模制绝缘层、以及与多个单元栅极图案的侧表面和多个模制绝缘层的侧表面接触的垂直沟道结构。多个单元栅极图案中的每一个可包括单元栅电极和相邻设置在单元栅电极的一个侧表面上的阻挡势垒图案。阻挡势垒图案的内侧表面可包括上内侧表面、中间内侧表面和下内侧表面。阻挡势垒图案的中间内侧表面可面对单元栅电极的一个侧表面。阻挡势垒图案可具有在阻挡势垒图案的上内侧表面与阻挡势垒图案的中间内侧表面之间的连接点处朝向单元栅电极突出的部分。
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