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公开(公告)号：CN117253786A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310717086.9
申请日：2023-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/027
Abstract: 一种半导体元件的制造方法包括：在晶圆上提供光致抗蚀剂；以第一流速向烘烤室供应包含氧的第一气体，使得光致抗蚀剂的氧溶解度变得饱和，并且以第二流速向烘烤室供应不含氧的第二气体；以及在烘烤室中对晶圆执行烘烤工艺。
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