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公开(公告)号：CN112349680A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010766570.7
申请日：2020-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括下布线、在下布线上的上布线以及在下布线与上布线之间的过孔。下布线具有彼此相对的第一端表面和第二端表面，上布线具有彼此相对的第三端表面和第四端表面，并且过孔具有与下布线的第二端表面相邻的第一侧面和与上布线的第三端表面相邻的第二侧面。过孔的第一侧面的下端与下布线的第二端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3，并且过孔的第二侧面的上端与上布线的第三端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3。
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