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公开(公告)号：CN115732547A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210859821.5
申请日：2022-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李在珍 , 金莹俊 , 朴薰荣 , 尹泰景 , 李殷沃
IPC: H01L29/423 , H10B12/00
Abstract: 本公开涉及一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。
