-
公开(公告)号：CN115810536A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211115639.5
申请日：2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/225 , H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该方法包括：制备包括单元区和划道区的衬底；在衬底的单元区中形成电路块，衬底包括第一表面和第二表面；在衬底的第一表面上形成偏压焊盘，使得偏压焊盘在衬底的划道区中；将氘交换结构键合至衬底的第二表面；利用等离子体处理将氘植入到氘交换结构中；以及将第一电压施加至偏压焊盘，使得氘通过衬底的第二表面从氘交换结构扩散至衬底中。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
