公开(公告)号：CN117715422A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202310677378.4

申请日：2023-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昭延 ,  黄盛珉 ,  李东植 ,  曺升铉 ,  朴凤泰 ,  沈载株

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  G11C16/08 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了三维半导体存储器装置及包括其的电子系统。所述三维半导体存储器装置包括：栅极堆叠结构，包括绝缘层、下选择线和字线，字线包括与下选择线相邻的第一字线和位于第一字线上的第二字线；存储器沟道结构，穿透栅极堆叠结构；多个第一接触插塞，电连接到第一字线；多个第二接触插塞，电连接到第二字线；第一导电线，连接到所述多个第一接触插塞；以及第二导电线，连接到所述多个第二接触插塞中的一个第二接触插塞。