公开(公告)号：CN115810536A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211115639.5

申请日：2022-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴焕悦 ,  朴世浚 ,  赵俊衡 ,  景世振 ,  公大为 ,  金泰珉

IPC: H01L21/225 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该方法包括：制备包括单元区和划道区的衬底；在衬底的单元区中形成电路块，衬底包括第一表面和第二表面；在衬底的第一表面上形成偏压焊盘，使得偏压焊盘在衬底的划道区中；将氘交换结构键合至衬底的第二表面；利用等离子体处理将氘植入到氘交换结构中；以及将第一电压施加至偏压焊盘，使得氘通过衬底的第二表面从氘交换结构扩散至衬底中。

公开(公告)号：CN115241192A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202111591160.4

申请日：2021-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴焕悦 ,  朴钟英 ,  李容德 ,  景世振 ,  公大为 ,  金日禹 ,  白松义 ,  菲利普·蔻驰

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：晶片；蚀刻停止层，位于所述晶片上；下模制层，位于所述蚀刻停止层上；中间支撑物层，位于所述下模制层上；上模制层，位于所述中间支撑物层上；上支撑物层，位于所述上模制层上；以及硬掩模结构，位于所述上支撑物层上，其中，所述硬掩模结构包括位于所述上支撑物层上的第一硬掩模层和位于所述第一硬掩模层上的第二硬掩模层，所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层中的一者包括第一有机层，所述第一有机层包括包含C、H、O和N的SOH，并且所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层中的另一者包括第二有机层，所述第二有机层包括包含C、H和O的SOH。

公开(公告)号：CN115241202A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210001688.X

申请日：2022-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴焕悦 ,  景世振 ,  金日禹 ,  李敏雨 ,  郑映澔

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在衬底上交替地并重复地形成第一绝缘层和第一牺牲层以形成模制层。在所述模制层上形成包括顺序地堆叠的蚀刻停止层和第二牺牲层的牺牲层结构。在所述牺牲层结构上形成硬掩模之后，通过使用所述硬掩模作为蚀刻掩模的干蚀刻工艺蚀刻所述牺牲层结构和所述模制层，以形成暴露所述衬底的上表面的沟道孔并且在所述第二牺牲层的与所述沟道孔相邻的侧壁上形成凹陷。在所述沟道孔中形成存储沟道结构。将所述第一牺牲层替换为栅电极。