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公开(公告)号:CN119183299A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202410180212.6
申请日:2024-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/64 , H01L23/498 , H01L23/04 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种半导体存储器模块。该半导体存储器模块包括:第一基板,其包括第一拐角部;第一半导体封装件,其安装在第一基板的下表面上;第二基板,其设置在第一基板上方,并包括与第一拐角部相对应的第二拐角部;第二半导体封装件,其安装在第二基板的上表面上;以及固定结构,第一拐角部和第二拐角部装配在固定结构中。