Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"崔裕真" Page 1

1.

发明公开
非易失性存储器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN113161368A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202011555812.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔裕真 , 李呈焕

IPC: H01L27/11573

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括：衬底；模结构，包括在所述衬底上沿第一方向交替堆叠的第一绝缘图案和多个栅电极；以及字线切割区，所述字线切割区沿与所述第一方向不同的第二方向延伸并且切割所述模结构，其中，所述字线切割区包括公共源极线，并且所述公共源极线包括沿所述第二方向延伸的第二绝缘图案、以及沿所述第二方向延伸并且与所述第二绝缘图案和沿所述第二方向的截面接触的导电图案。

Patent Agency Ranking