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公开(公告)号：CN119277782A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410898961.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了集成电路存储器装置和半导体装置。集成电路存储器装置包括其上具有在第一水平方向上延伸的位线的衬底和在位线上延伸的沟道结构。沟道结构包括位线上的水平部分和从水平部分的一端向上延伸的竖直沟道部分。提供了字线，字线与竖直沟道部分相对地延伸，并与位线交叉以在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸。提供了着陆焊盘结构，并且着陆焊盘结构电连接到竖直沟道部分。着陆焊盘结构包括与竖直沟道部分的上表面接触的第一接触部分和从第一接触部分的下表面向下突出的第二接触部分。
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