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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN118825027A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410452446.1

申请日：2024-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋永秀 , 金秀贤 , 崔如莉 , 朴志薰

IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L23/48 , H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：有源区，其在衬底上并且包括在第一方向上延伸的有源图案。装置隔离层围绕有源图案。栅极结构在第二方向上延伸。源极/漏极区在有源图案上。层间绝缘层覆盖源极/漏极区。接触结构连接到源极/漏极区。掩埋导电结构在第一方向上延伸，电连接到接触结构，并且穿过层间绝缘层以在第三方向上延伸。电力输送结构从衬底的下表面朝向衬底的上表面延伸，并且电连接到掩埋导电结构。掩埋导电结构包括：在第一方向上延伸的主体部分、以及在第二方向上从主体部分的至少一个侧表面的区域延伸的延伸部分。

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