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公开(公告)号:CN110879507A
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201910293597.6
申请日:2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36
Abstract: 公开了一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法和使用其制造掩模的方法。提供一种用于执行OPC的方法以及通过使用OPC制造掩模的方法,所述执行OPC的方法通过有效地反映掩模形貌效应或图案的边缘之间的耦合效应来提高掩模图像的精确度。用于执行OPC的方法包括:提取掩模上的图案的布局的边缘;提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对;针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘;通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像;通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像。
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公开(公告)号:CN110879507B
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN201910293597.6
申请日:2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36
Abstract: 公开了一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法和使用其制造掩模的方法。提供一种用于执行OPC的方法以及通过使用OPC制造掩模的方法,所述执行OPC的方法通过有效地反映掩模形貌效应或图案的边缘之间的耦合效应来提高掩模图像的精确度。用于执行OPC的方法包括:提取掩模上的图案的布局的边缘;提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对;针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘;通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像;通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像。
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公开(公告)号:CN115542656A
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202210651001.7
申请日:2022-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请公开了光学邻近校正方法及使用该方法制造极紫外掩模的方法。一种针对具有曲线图案的掩模有效地模仿掩模形貌效应的光学邻近校正(OPC)方法包括:通过使用电磁场模拟来生成近场的边滤波器的库;通过使用该库来生成任意角度边滤波器;对于具有曲线图案的掩模,通过使用薄掩模近似来生成第一掩模图像;判断曲线图案是否满足基准;当曲线图案满足基准时,对曲线图案执行偏斜曼哈顿化,然后通过对曲线图案的边应用任意角度边滤波器来生成第二掩模图像。
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