Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"尹泳植" Page 1

1.

发明公开
半导体器件和包括该半导体器件的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN117479536A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310893778.9

申请日：2023-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹泳植 , 李东植 , 金是完 , 李昭悧 , 朴凤泰 , 沈载株

IPC: H10B41/27 , H10B41/30 , H10B41/40 , H10B43/27 , H10B43/30 , H10B43/40

Abstract: 一种半导体器件，包括外围电路区和存储单元区。存储单元区可以包括：堆叠结构，包括在竖直方向上重复且交替地堆叠的栅电极和层间绝缘层；以及沟道结构，穿透堆叠结构。栅电极可以包括第一栅电极、第一栅电极上的第二栅电极、以及第二栅电极上的第三栅电极。每一个第一栅电极可以具有第一厚度。每一个第二栅电极的第二厚度可以大于第一厚度。每一个第三栅电极的第三厚度可以小于第二厚度。

Patent Agency Ranking