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发明公开
制造用于形成半导体存储器件的极紫外掩模的方法审中-公开

公开(公告)号：CN117991582A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311458657.8

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋玟承 , 金壮勋 , 尹详皓 , 黄灿

IPC: G03F1/70 , G03F1/22

Abstract: 一种制造极紫外掩模的方法，包括：准备初步布局；通过使用经由使用初步布局而形成的多个初步间隔物图案来形成多个初步目标图案；评估所述多个初步目标图案之中的异常目标图案的存在或不存在；当所述多个初步目标图案包括异常目标图案时，通过修改初步布局来准备配置为形成多个间隔物图案的布局；以及用所述布局制造极紫外掩模以通过使用所述多个间隔物图案形成多个目标图案，其中，所述多个初步间隔物图案在一个方向上延伸。

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