公开(公告)号：CN110739304B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201910182956.0

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪瑟气 ,  全辉璨 ,  金贤洙 ,  安大哲 ,  梁明

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；多个第一导电接触件，分别连接到有源栅极结构和源极/漏极；电阻结构，位于第二区域中的虚设栅极结构上；多个第二导电接触件，分别连接到所述多个第一导电接触件和电阻结构；蚀刻停止层，位于虚设栅极结构与电阻结构之间。蚀刻停止层包括由不同的材料形成的下蚀刻停止层和上蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN110739304A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910182956.0

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪瑟气 ,  全辉璨 ,  金贤洙 ,  安大哲 ,  梁明

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；多个第一导电接触件，分别连接到有源栅极结构和源极/漏极；电阻结构，位于第二区域中的虚设栅极结构上；多个第二导电接触件，分别连接到所述多个第一导电接触件和电阻结构；蚀刻停止层，位于虚设栅极结构与电阻结构之间。蚀刻停止层包括由不同的材料形成的下蚀刻停止层和上蚀刻停止层。