公开(公告)号：CN103094274A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110350684.4

申请日：2011-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 格里戈里·奥努什金 ,  奥列格·力德亚伊夫 ,  林钟勋 ,  孙重坤 ,  崔繁在

IPC: H01L27/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置具有半导体层叠体，半导体层叠体包括提供第一主要表面的第一导电类型半导体层和提供第二主要表面的第二导电类型半导体层以及有源层。半导体层叠体被划分为第一区域和第二区域。至少一个接触孔形成为从第一区域的第二主要表面穿过有源层。第一电极形成在第二主要表面上以连接到第一区域的第一导电类型半导体层和第二区域的第二导电类型半导体层。第二电极形成在第一区域的第二主要表面上以连接到第一区域的第二导电类型半导体层和第二区域的第一导电类型半导体层。

公开(公告)号：CN103094274B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201110350684.4

申请日：2011-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 格里戈里·奥努什金 ,  奥列格·力德亚伊夫 ,  林钟勋 ,  孙重坤 ,  崔繁在

IPC: H01L27/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置具有半导体层叠体，半导体层叠体包括提供第一主要表面的第一导电类型半导体层和提供第二主要表面的第二导电类型半导体层以及有源层。半导体层叠体被划分为第一区域和第二区域。至少一个接触孔形成为从第一区域的第二主要表面穿过有源层。第一电极形成在第二主要表面上以连接到第一区域的第一导电类型半导体层和第二区域的第二导电类型半导体层。第二电极形成在第一区域的第二主要表面上以连接到第一区域的第二导电类型半导体层和第二区域的第一导电类型半导体层。