公开(公告)号：CN102810622A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210176968.0

申请日：2012-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在成 ,  宋钟燮 ,  吴承璟

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光装置透镜、发光装置模块及发光装置模块的制造方法。根据本发明的实施例的透镜可在透镜的下部包括具有预定图案的第一凹陷部分和第二凹陷部分，在制造LED模块的过程中，可通过在喷洒磷光体之后设置透镜来共同地形成磷光体层和透镜，而不是在LED芯片上单独地形成磷光体层。因此，可消除LED模块的生产公差等，从而提高了产出率，并可使LED模块的制造工艺简化。透镜可具有按照半球形、椭圆形和中央部分凹入的蝙蝠翼形中的一种形状预先形成的上部，从而实现了根据预定应用的定制透镜。

公开(公告)号：CN102738342B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201210086655.6

申请日：2012-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白好善 ,  金学焕 ,  吴承璟

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括：具有第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构；位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层；位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁；穿透所述多个绝缘壁的多个N型电极层；以及导电衬底，在所述导电衬底中分别对应于所述多个N型电极层的多个N型电极连接层与对应于所述P型电极层的P型电极连接层分开。

公开(公告)号：CN102563525B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110372593.0

申请日：2011-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在成 ,  朴天豪 ,  吴承璟 ,  吴宽永

IPC: F21V5/04 ,  G03B15/05 ,  F21Y101/02

CPC classification number: G03B15/03 ,  F21V13/04 ,  G02B3/08 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G03B15/05 ,  G03B2215/0503

Abstract: 本发明公开了一种闪光灯透镜和闪光灯模块。该闪光灯透镜包括：透镜单元，包括入射表面、反射表面和出光表面；透镜安放部分，设置在所述出光表面的边缘的下部，从所述反射表面延伸并突出，并包括在所述透镜安放部分的下表面中形成的图案。另外，根据本发明的实施例的闪光灯模块可包括闪光灯透镜以及与该闪光灯透镜一体地形成的发光二极管(LED)芯片。