公开(公告)号：CN119255597A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410172962.9

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴桐湜 ,  罗载元 ,  全智姬

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H01L23/552

Abstract: 半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和外围区域；位线，位于单元阵列区域上，并且沿第一方向延伸；屏蔽线，沿第一方向从单元阵列区域延伸到外围区域，并且沿与第一方向交叉的第二方向与位线邻近地布置；屏蔽接触线，位于外围区域上，沿第二方向延伸，并且连接到屏蔽线；沟道图案，位于位线上，并且沿与位线垂直的方向延伸；字线，沿第二方向延伸，并且位于沟道图案上；栅极绝缘图案，位于沟道图案与字线之间；绝缘图案，位于字线上；接合垫，连接到沟道图案；以及数据存储图案，连接到接合垫。

公开(公告)号：CN117794241A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311278284.6

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗载元 ,  金昶植 ,  宋俊和 ,  全智姬

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；在衬底上并在第一方向上延伸的位线；在位线上的第一和第二沟道图案，第二沟道图案在第一方向上与第一沟道图案间隔开；第一字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，在第二方向上延伸，并且在第一方向上与第一字线间隔开；在沟道图案上并且连接到第一或第二沟道图案的电容器；其中第一沟道图案和第二沟道图案包括依次在位线上的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案，第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案中的每个包括非晶金属氧化物，并且第一金属氧化物图案的组成不同于第二金属氧化物图案的组成。