公开(公告)号：CN101853860B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010150500.5

申请日：2010-03-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 青木宏宪 ,  吉川英一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

Abstract: 一种集成半导体设备和制造该集成半导体设备的方法包括保留半导体层的一个部分使得当在SOI晶片上形成槽时在槽上形成倾斜表面。沿着该倾斜表面形成厚的二氧化硅膜(第二绝缘膜)。该厚的二氧化硅膜防止氧气进入槽内SOI晶片的绝缘层和半导体层之间的边界表面。

公开(公告)号：CN101853860A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010150500.5

申请日：2010-03-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 青木宏宪 ,  吉川英一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

Abstract: 一种集成半导体设备和制造该集成半导体设备的方法包括保留半导体层的一个部分使得当在SOI晶片上形成槽时在槽上形成倾斜表面。沿着该倾斜表面形成厚的二氧化硅膜(第二绝缘膜)。该厚的二氧化硅膜防止氧气进入槽内SOI晶片的绝缘层和半导体层之间的边界表面。