发明授权
- 专利标题： Method of etching metal layer
- 专利标题（中）： 蚀刻金属层的方法
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申请号： US14196376申请日： 2014-03-04
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公开(公告)号： US09150969B2公开(公告)日： 2015-10-06
- 发明人: Eiichi Nishimura , Fumiko Yamashita , Koyumi Sasa
- 申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Rothwell, Figg, Ernst & Manbeck, P.C.
- 优先权： JP2013-043100 20130305
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; C23F4/00 ; H01L21/02 ; H01L21/3213 ; H05K3/02
摘要：
In a method of etching a metal layer of an object to be processed, the metal layer is etched by ion sputtering etching while forming a protective film containing carbon on a surface of a mask of the object. The object is exposed to an oxygen plasma after etching the metal layer. The object is exposed to hexafluoroacetylacetone after exposing the object to the oxygen plasma.
公开/授权文献
- US20140251945A1 METHOD OF ETCHING METAL LAYER 公开/授权日：2014-09-11
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