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发明授权
US09005850B2 Mask for exposure and method of fabricating substrate using said mask 有权
用于曝光的掩模和使用所述掩模制造基底的方法

Mask for exposure and method of fabricating substrate using said mask
摘要：
Provided is a photolithography mask capable of forming fine patterns beyond a critical resolution of an exposer without replacing or changing the exposer. The mask includes an at least partially light absorbing phase shift layer and uses a complex wavelength light source.
摘要（中）：

提供了一种能够在不更换或改变曝光器的情况下形成超出曝光机的临界分辨率的精细图案的光刻掩模。 掩模包括至少部分吸光相移层并使用复合波长光源。

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