发明授权
US08878318B2 Structure and method for a MRAM device with an oxygen absorbing cap layer
有权
具有氧吸收盖层的MRAM器件的结构和方法
- 专利标题： Structure and method for a MRAM device with an oxygen absorbing cap layer
- 专利标题（中）： 具有氧吸收盖层的MRAM器件的结构和方法
-
申请号： US13244349申请日： 2011-09-24
-
公开(公告)号： US08878318B2公开(公告)日： 2014-11-04
- 发明人: Chih-Ming Chen , Ya-Chen Kao , Ming-Te Liu , Chung-Yi Yu , Cheng-Yuan Tsai , Chun-Jung Lin
- 申请人： Chih-Ming Chen , Ya-Chen Kao , Ming-Te Liu , Chung-Yi Yu , Cheng-Yuan Tsai , Chun-Jung Lin
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 代理机构： Haynes and Boone, LLP
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; G11C11/15 ; H01L43/12
摘要：
MTJ stack structures for an MRAM device include an MTJ stack having a pinned ferromagnetic layer over a pinning layer, a tunneling barrier layer over the pinned ferromagnetic layer, a free ferromagnetic layer over the tunneling barrier layer, a conductive oxide layer over the free ferromagnetic layer, and an oxygen-based cap layer over the conductive oxide layer.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
