发明授权
- 专利标题： Deep ultraviolet light emitting diode
- 专利标题（中）： 深紫外线发光二极管
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申请号： US13623381申请日： 2012-09-20
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公开(公告)号： US08791450B2公开(公告)日： 2014-07-29
- 发明人: Michael Shur , Remigijus Gaska , Jinwei Yang
- 申请人： Sensor Electronic Technology, Inc.
- 申请人地址： US SC Columbia
- 专利权人： Sensor Electronic Technology, Inc.
- 当前专利权人： Sensor Electronic Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US SC Columbia
- 代理机构： LaBatt, LLC
- 主分类号： H01L33/26
- IPC分类号： H01L33/26
摘要：
A carbon doped short period superlattice is provided. A heterostructure includes a short period superlattice comprising a plurality of quantum wells alternating with a plurality of barriers. One or more of the quantum wells and/or the barriers includes a percolated carbon atomic plane.
公开/授权文献
- US20130075691A1 Deep Ultraviolet Light Emitting Diode 公开/授权日：2013-03-28
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