发明授权
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件
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申请号： US13601369申请日： 2012-08-31
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公开(公告)号： US08742837B2公开(公告)日： 2014-06-03
- 发明人: Je Il Ryu
- 申请人： Je Il Ryu
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： William Park & Associates Patent Ltd.
- 优先权： KR10-2011-0112117 20111031
- 主分类号： G05F1/10
- IPC分类号： G05F1/10 ; H03K19/00
摘要：
A semiconductor device includes a high voltage generator for generating a high voltage by raising a power source voltage, a transfer circuit for transferring the high voltage to an internal circuit in response to a transfer signal, and a first discharge circuit for discharging the high voltage of an output node of the high voltage generator or the high voltage of an input node or output node of the transfer circuit when the power source voltage drops.
公开/授权文献
- US20130106483A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 公开/授权日：2013-05-02
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IPC分类:
