发明授权
US08668849B2 Sputtering target, oxide semiconductor film and semiconductor device
有权
溅射靶，氧化物半导体膜和半导体器件
- 专利标题： Sputtering target, oxide semiconductor film and semiconductor device
- 专利标题（中）： 溅射靶，氧化物半导体膜和半导体器件
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申请号： US13468119申请日： 2012-05-10
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公开(公告)号： US08668849B2公开(公告)日： 2014-03-11
- 发明人: Kazuyoshi Inoue , Koki Yano , Masashi Kasami
- 申请人： Kazuyoshi Inoue , Koki Yano , Masashi Kasami
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- 当前专利权人： Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Millen, White, Zelano & Branigan, P.C.
- 优先权： JP2007-072596 20070320; JP2007-076810 20070323
- 主分类号： H01B1/08
- IPC分类号： H01B1/08 ; H01L51/50
摘要：
A sputtering target including an oxide sintered body, the oxide sintered body containing indium (In) and at least one element selected from gadolinium (Gd), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er) and ytterbium (Yb), and the oxide sintered body substantially being of a bixbyite structure.
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